半导体分立器件 I-V 特性测试方案

                 半导体分立器件 I-V 特性测试方案

方案特点

丰富的内置元器件库（双端口、三端口、MOSFET、BJT等），可以根据测试要求选择所需要的待测件类型；

四象限输出和测量功能，可以在正负电压、正负电流之间进行无缝切换和扫描；

测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省了大量的时间；

精准稳定的探针台，针座分辨率可高达0.7um，显微镜放大倍数最高可达x195倍；

高达500fA电流输出分辨率和10fA测量分辨率，可以满足半导体器件微小电信号控制和测量要求。

测试功能

双端口、三端口器件直流参数测量；

I-V，I-T，V-T，I-R，V-R 扫描测试；

曲线绘制，原始数据导出，结果保存。

系统结构

系统主要由一台双通道源表或两台单通道源表（SMU）、连接线或探针台，及上位机软件构成。以三端口 MOSFET 或 BJT 器件为例，共需要以下设备：两台吉时利 2450 源表、三同轴或香蕉头连接电缆、夹具或探针台。

上位机软件与源表（SMU）的连接方式如下图所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一个接口进行连接。