半导体分立器件 C-V 特性测试方案

                 半导体分立器件 C-V 特性测试方案

方案特点

包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能，C-V测试最多同时支持测试四条不同频率下的曲线。

测试和计算过程由软件自动执行，能够显示数据和曲线，节省时间。

提供外置直流偏压盒，最高偏压支持到正负200V，频率范围 100Hz - 1MHz。

支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压。

测试功能

电压 - 电容扫描测试

频率 - 电容扫描测试

电容 - 时间扫描测试

MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算

原始数据图形化显示和保存

MOS电容的 C-V 特性测试方案

系统结构

系统主要由源表、LCR表、探针台和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在0.1Hz~ 30MHz。源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过偏置夹具盒CT8001加载在待测件上。

LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电流，在 LCUR 端测试电流，同时在 HPOT 和 LPOT 端测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量，可以精确地得到两者之间的幅度和相位信息，继而可以推算出交流阻抗参数。

                                                                      LCR表与待测件连接图

                                                                      CV特性曲线测试结果