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购买丨报价
半导体分立器件 C-V 特性测试方案
半导体分立器件 C-V 特性测试方案
方案特点
包含C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率)等多项测试测试功能,C-V测试最多同时支持测试四条不同频率下的曲线。
测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省时间。
提供外置直流偏压盒,最高偏压支持到正负200V,频率范围 100Hz - 1MHz。
支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压。
测试功能
电压 - 电容扫描测试
频率 - 电容扫描测试
电容 - 时间扫描测试
MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算
原始数据图形化显示和保存
MOS电容的 C-V 特性测试方案
系统结构
系统主要由源表、LCR表、探针台和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在0.1Hz~ 30MHz。源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过偏置夹具盒CT8001加载在待测件上。
LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电流,在 LCUR 端测试电流,同时在 HPOT 和 LPOT 端测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量,可以精确地得到两者之间的幅度和相位信息,继而可以推算出交流阻抗参数。
LCR表与待测件连接图
CV特性曲线测试结果