2000-CV
半导体器件C-V特性测试方案
泰克 TSP-2000-CV 半导体测试方案
系统背景
交流C-V测试可以揭示材料的氧化层厚度,晶圆工艺的界面陷阱密度,掺杂浓度,掺杂分布以及载流子寿命等,通常使用交流C-V测试方式来评估新工艺,材料,器件以及电路的质量和可靠性等。比如在MOS结构中,C-V测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
C-V测试要求测试设备满足宽频率范围的需求,同时连线简单,系统易于搭建,并具备系统补偿功能,以补偿系统寄生电容引入的误差。
进行C-V测量时,通常在电容两端施加直流偏压,同时利用一个交流信号进行测量。一般这类测量中使用的交流信号频率在10KHz到10MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描,扫描过程中测试待测器件的交流电压和电流,从而计算出不同电压下的电容值。
方案特点
包含C-V(电容-电压),C-T(电容-时间),C-F(电容-频率)等多项测试测试功能,C-V测试最多同时支持测试四条不同频率下的曲线。
测试和计算过程由软件自动执行,能够显示数据和曲线,节省时间。
提供外置直流偏压盒,最高偏压支持到正负200V,频率范围 100Hz - 1MHz。
支持使用吉时利24XX/26XX系列源表提供偏压。
测试功能
电压-电容扫描测试
频率-电容扫描测试
电容-时间扫描测试
MOS器件二氧化硅层厚度、衬底掺杂浓度等参数的计算
原始数据图形化显示和保存
MOS电容的 C-V 特性测试方案
系统结构
系统主要由源表、LCR表、探针台和上位机软件组成。LCR 表支持的测量频率范围在0.1Hz~ 30MHz。源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置,通过偏置夹具盒CT8001加载在待测件上。
LCR 表测试交流阻抗的方式是在 HCUR 端输出交流电流,在 LCUR 端测试电流,同时在 HPOT 和 LPOT 端测量电压值。电压和电流通过锁相环路同步测量,可以精确地得到两者之间的幅度和相位信息,继而可以推算出交流阻抗参数。
LCR表与待测件连接图
CV特性曲线测试结果
典型方案配置
源表 | 吉时利 2450/2460/2461源表及2601/2602源表 |
LCR表 | ECA/PCA/PIA系列源表 |
偏置电压夹具 | CT8001和其他连接线缆 |
上位机软件 | CycleStar C-V测试软件 |
其他附件 | USB-RS232转接线、RS232串口交叉线、USB2.0 连接线 |
系统参数
下表中参数以PCA1000 LCR表和2450 源表组成的C-V测试系统为例:
AC信号频率范围 | 10Hz - 1 MHz |
AC信号测试范围 | 10mV - 2Vrms (1mVrms分辨率) |
DC信号测试范围 | 0.01 - 2V |
输出阻抗 | 100Ω |
频率输出精度 | ±0.01%,5位 |
基本测量精度 | ±0.08% |
测量速度 | 8ms (最快) |
直流电压偏置范围 | -200V - 200V |
直流偏压调节分辨率 | 最高500nV |
直流偏压设置精度 | 最高200uV |
CT8001直流偏置夹具工作频率 | 100Hz - 1MHz |